GlobalNetwork
Global Site
Americas
United States
Mexico
Europe
France
Germany
Asia - Pacific
Japan
China
Taiwan
Korea
Thailand
Singapore
India
Indonesia

Inspirasi TOYO TANSO untuk inovasi

Indonesia / English | Japanese | Indonesian
BERANDA Produk Aplikasi Semiconductor manufacturing

Semiconductor manufacturing

Peralatan manufaktur silikon monokristalin

Toyo Tanso menyediakan berbagai produk grafit untuk digunakan sebagai bagian dalam proses silikon monokristalin (tungku pembakaran CZ). Kami juga dapat menyuplai produk berdiameter besar dan produk yang permukaannya diberi perlakuan yang tahan lama (long-life surface-treated).

Peralatan manufaktur silikon monokristalin
Saat menarik silikon monokristalin, suhu leleh sangat tinggi sekitar 1.500 °C, tetapi daya tahan termal grafit isotropik yang sangat baik membantu memperpanjang masa pakai produk.

Produk dengan kemurnian tinggi digunakan di lingkungan di mana perlu untuk menghindari kontaminan; produk pelapis (PERMA KOTE® dan PYROGRAPH®) digunakan di lingkungan di mana perlu untuk menghindari partikel dan reaksi dengan gas terdesorbsi dan gas SiO; dan komposit C/C yang ringan dan mudah ditangani digunakan di tungku pembakaran besar.

Produk

Crucible

Untuk melindungi krusibel kuarsa (quartz crucible) yang digunakan dalam pembuatan silikon kristal tunggal, banyak produsen menggunakan menggunakan grafit isotropik kami dengan tingkat kemurnian yang tinggi karena memberikan kekuatan tinggi dan keausan minimal.

Pemanas

Grafit dapat dimurnikan hingga tingkat ppm yang diinginkan dengan metode machining yang mudah hingga rumit. Ini adalah bahan yang mutlak diperlukan untuk elemen pemanas yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor.

Fitur

  • Keawetan panas yang prima
  • Konduktivitas panas yang sangat baik
  • Densitas tinggi
  • Kekuatan tinggi
  • Ringan
  • Sedikit variasi dalam karakteristik memungkinkan penggunaan yang stabil
  • Treatment dengan tingkat kemurnian yang sangat tinggi dimungkinkan

Pertumbuhan Epitaksial Silikon

Berkat resistansi kimia yang sangat baik, resistansi terhadap debu, dan presisi dimensi, produk PERMA KOTE® Toyo Tanso banyak digunakan dalam proses pembuatan wafer epitaksial.

Pertumbuhan Epitaksial Silikon
Dalam proses epitaksial, wafer silikon dipanaskan dalam tungku pembakaran epitaksial hingga sekitar 1.200 °C, dan silikon tetraklorida (SiCl4) yang diuapkan dan silana triklorida (SiHCl3) ditambahkan ke tungku pembakaran untuk menginduksi pertumbuhan epitaksial pada permukaan wafer.

Suseptor PERMA KOTE® (dilapisi SiC)—yang memiliki durabilitas termal yang sangat baik, resistansi terhadap bahan kimia, dan resistansi terhadap debu—oleh karena itu digunakan secara luas.

Selain itu, karena suseptor bersentuhan dengan wafer, presisi dimensi dan kekasaran permukaannya memengaruhi distribusi suhu wafer. Oleh karena itu, lapisan SiC dengan presisi dan kehalusan dimensi tinggi diperlukan.

Berkat teknologi eksklusif untuk pemrosesan substrat grafit dan kontrol lapisan SiC yang dikombinasikan dengan dukungan teknis yang memanfaatkan kemampuan analitik kami yang luar biasa, Toyo Tanso dapat menawarkan produk yang ideal untuk memenuhi kebutuhan Anda.

Fitur

  • Keawetan panas yang prima
  • Akurasi dimensi yang sangat baik
  • Resistansi terhadap debu yang sangat baik
  • Resistansi terhadap oksidasi yang sangat baik
  • Sifat penyegelan (sealing) superior

Compound Semikonduktor

Berkat resistansi kimia yang sangat baik, resistansi terhadap debu, dan presisi dimensi, produk PERMA KOTE® banyak digunakan dalam proses manufaktur LED.

Compound Semikonduktor
Proses MOCVD melibatkan penggunaan gas amonia (NH3), yang membuatnya tidak mungkin untuk menghindari korosi dini saat menggunakan grafit yang tidak dilapisi, dan juga membutuhkan lingkungan dengan kemurnian tinggi dan tahan debu. Oleh karena itu, suseptor PERMA KOTE® (dilapisi SiC) digunakan secara luas karena durabilitas termal yang sangat baik dan sifat tahan bahan kimia dan debu.

Selain itu, karena suseptor bersentuhan dengan wafer, presisi dimensi dan kekasaran permukaannya memengaruhi distribusi suhu wafer. Oleh karena itu, lapisan SiC dengan presisi dan kehalusan dimensi tinggi diperlukan.

Berkat teknologi eksklusif untuk pemrosesan substrat grafit dan kontrol lapisan SiC yang dikombinasikan dengan dukungan teknis yang memanfaatkan kemampuan analitik kami yang luar biasa, Toyo Tanso dapat menawarkan produk yang ideal untuk memenuhi kebutuhan Anda.

Selain itu, karena suseptor bersentuhan dengan wafer, presisi dimensi dan kekasaran permukaannya memengaruhi distribusi suhu wafer. Oleh karena itu, lapisan SiC dengan presisi dan kehalusan dimensi tinggi diperlukan.

Berkat teknologi eksklusif untuk pemrosesan substrat grafit dan kontrol lapisan SiC yang dikombinasikan dengan dukungan teknis yang memanfaatkan kemampuan analitik kami yang luar biasa, Toyo Tanso dapat menawarkan produk yang ideal untuk memenuhi kebutuhan Anda.

Fitur

  • Keawetan panas yang prima
  • Akurasi dimensi yang sangat baik
  • Resistansi terhadap debu yang sangat baik
  • Resistansi terhadap oksidasi yang sangat baik
  • Sifat penyegelan (sealing) superior

Tautan terkait

  • Grafit Khusus
  • Komposit C/C
  • Grafit berlapis SiC PERMA KOTE®