半導體製造

單晶矽製造設備

東洋炭素提供一系列用於單晶矽製程(CZ爐)零件的石墨製品，同時也有提供大直徑產品以及經表面處理後的長壽命產品。

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拉製單晶矽時，熔融溫度極高，約為1500°C，而等方性石墨出色的耐熱性有助於延長產品壽命。

高純度產品用於需要避免污染的環境；塗層產品（PERMA KOTE®和PYROGRAPH®）用於需要避免顆粒和與解吸氣體和SiO氣體反應的環境；另外，輕巧而易於處理的C/C複合材料則用於大型熔爐。

產品

坩堝

為了保護用於製造單晶矽的石英坩堝，東洋炭素所具備的高強度、磨耗少的等方性高純度石墨坩堝為最佳選擇。

加熱器

石墨可以純化到ppm級，也可以輕鬆加工成複雜的形狀。其為半導體製程中使用的加熱元件內的必備材料。

特性

優異的耐熱性
優異的導熱性
高密度
高強度
質地輕巧
特性變化小，可穩定使用
可進行超高純度處理

矽外延生長

東洋炭素的PERMA KOTE®產品因其優異的耐化學性、防塵性和尺寸精度，廣泛用於外延片製程。

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在外延製程中，矽晶在外延爐中加熱到1200°C左右，然後在爐中加入汽化的四氯化矽（SiCl4）和三氯矽烷（SiHCl3），在晶圓表面上使其外延生長。

PERMA KOTE®承載盤（碳化矽塗層）–具有出色的耐熱性、耐化學性和防塵性，因此廣為採用。

此外，由於承載盤與晶圓接觸，其尺寸精度和表面粗糙度會影響晶圓溫度分佈，因此需要具有高尺寸精度和光滑度的SiC層。

得益於石墨基板處理和SiC層控制的專有技術，以及利用我們卓越分析能力的技術支援，東洋炭素將能提供滿足您要求的理想產品。

特性

優異的耐熱性
優良的尺寸精度
優異的防塵性
優異的抗氧性
卓越的密封性能

化合物半導體

PERMA KOTE®產品因其優異的耐化學性、防塵性和尺寸精度，被作為MOCVD用的承載盤，廣泛應用於LED製程。

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MOCVD製程需使用氨 (NH3) 氣體，使用無塗層石墨時無法避免早期腐蝕，還需要高純度、防塵的環境。PERMA KOTE®承載盤（SiC塗層）依靠其出色的耐熱性和耐化學性和防塵性能，廣受採用。

此外，由於承載盤與晶圓接觸，其尺寸精度和表面粗糙度會影響晶圓溫度分佈，因此需要具有高尺寸精度和光滑度的SiC層。

得益於石墨基板處理和SiC層控制的專有技術，以及利用我們卓越分析能力的技術支援，東洋炭素將能提供滿足您要求的理想產品。

特性

優異的耐熱性
優良的尺寸精度
優異的防塵性
優異的抗氧性
卓越的密封性能