単結晶シリコンを引き上げる際、溶解温度は約1500℃と極めて高くなりますが、耐熱性に優れた等方性黒鉛はライフアップに貢献しています。

不純物を嫌う環境下では高純度品が、脱ガス・SiOガスとの反応やパーティクルを嫌う環境ではコーティング品(SiCコート被覆材 PERMA KOTE®や熱分解炭素被覆材 PYROGRAPH®)が使われ、また大型炉には軽量でハンドリングしやすいC/Cコンポジットが使用されています。

エピタキシャルプロセスでは、シリコンウェハーをエピタキシャル炉の中で約1200℃まで加熱、気化された四塩化珪素（SiCl4）、三塩化シラン（SiHCl3）を炉内に流し、ウェハー表面上エピタキシャル成長させます。

そのため、耐熱性、耐薬品性、防塵性に優れたSiCコート被覆材 PERMA KOTE®サセプターが広く採用されています。

また、サセプターはウェハーに接触するパーツであり、その寸法精度や表面粗さがウェハーの温度分布に影響を及ぼすため、高い寸法精度と滑らかなSiC膜が要求されます。

当社は、独自の技術による黒鉛基材加工やSiC膜制御、また高い分析力を活かした技術サポートにより、お客様の要求に応じた最適な製品を提供いたします。

MOCVDプロセスではアンモニア(NH3)ガスを使用するため、非コート黒鉛では早期の腐食が避けられず、また純度や防塵が求められる環境であるため、耐熱性、耐薬品性、防塵性に優れたSiCコート被覆材 PERMA KOTE®サセプターが広く採用されています。

また、サセプターはウェハーに接触するパーツであり、その寸法精度や表面粗さがウェハーの温度分布に影響を及ぼすため、高い寸法精度と滑らかなSiC膜が要求されます。

当社は、独自の技術による黒鉛基材加工やSiC膜制御、また高い分析力を活かした技術サポートにより、お客様の要求に応じた最適な製品を提供いたします。

Moreover, because susceptors come into contact with the wafers, their dimensional precision and surface roughness affect wafer temperature distribution. SiC layers with high dimensional precision and smoothness are therefore required.

Thanks to proprietary technology for graphite substrate processing and SiC layer control combined with technical support that leverages our superb analytic capabilities, Toyo Tanso can offer the ideal product to suit your requirements.